未来可期 长江存储或导入128层3D NAND

长江存储宣布将在今年8月正式推出Xtacking™ 2.0技术，合肥长鑫DRAM亦进展顺利，长江存储和合肥长鑫分别在3D NAND和DRAM上寻求突破， 不仅能快速应对全球数据量增长对存储器的挑战，更体现了中国在存储领域的迅猛发展。

长江存储计划在年底量产64层3D NAND，同时将导入Xtacking™架构应用，并规划在2020年跳过96层3D NAND技术进入128层3D NAND阶段。根据推算，长江存储Xtacking™ 1.0导入到64层3D NAND，很可能到128层3D NAND会导入Xtacking™ 2.0，这将大幅度缩短与国际大厂在技术上的差距。

    合肥长鑫项目专注于DRAM的研发、生产与销售，而最初技术来源是奇梦达，之后通过与国际大厂合作，持续投入研发超过25亿美元，并不断完善自身研发技术，目前已累积有1万6千个专利申请，已持续投入晶圆量超过15000片，之前规划是2019年底实现2万片/月产能，加速中国存储芯片国产化目标实现的进程。

来源：中关村在线

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